当ASML用EUV光刻机封锁中国芯片时，没人想到我们会用两支“笔”破局：一支是电子束刻刀，在头发丝上雕出整座城市；另一支是纳米印章，像盖章般批量复刻5nm芯片。
2025年8月，浙江大学交付的“羲之”电子束光刻机精度飙至0.6纳米，相当于在人类DNA链上精准刻字。
而合肥璞璘科技的纳米压印设备，正以每秒5枚芯片的速度狂飙量产。 这两项技术绕开ASML数万项专利，直接切入量子芯片和存储芯片的无人区。
关键是，它们都跳过了EUV光刻必需的极紫外光源、蔡司反射镜、真空腔体三大“卡脖子”环节。
上海微电子28nm光刻机产线旁，工程师已开始调试新一代压印设备，中国半导体正在用“非对称战术”撕开裂口。
浙大余杭量子研究院里，一台钢柜般的机器正闪烁蓝光。 电子束穿透真空腔，在硅晶圆上刻出0.6纳米的沟槽。
这台名为“羲之”的光刻机，得名于书法家王羲之，因为它用电子束代替毛笔，在芯片上直接“书写”电路。
传统光刻机需要掩膜版成像，如同用投影仪投射图案。 但“羲之”的电子束像钢笔尖，通过电磁场偏转控制路径，直接雕刻硅片。
它的精度达到0.6纳米，相当于把2个硅原子并排刻成导线。 更关键的是无需掩膜版，修改设计只需调整电磁场参数，特别适合试产阶段的量子芯片研发。
电子束光刻曾因效率低下被视作实验室玩具。 传统设备每小时只能加工几片晶圆，而ASML的EUV光刻机每小时吞吐200片。
多束电子并行扫描技术将效率提升5倍，AI路径规划算法缩短50%曝光时间，磁悬浮平台将定位抖动控制在0.1纳米。 华为已采购三台设备用于量子芯片试产，良率提升30%。
合肥璞璘科技的无尘车间里，机械臂正将晶圆压向透明模板。 紫外光闪过，10纳米电路图案瞬间转印完成。 这台喷墨步进式纳米压印设备PL-SR，像盖章般将芯片电路复制到硅片上。
纳米压印原理颠覆传统光刻：先用电子束刻出带电路凹槽的模板，再涂上液态光刻胶，用模板压印出图形，最后蚀刻成型。
由于跳过复杂光学系统，其能耗仅为EUV光刻机的十分之一，成本直降60%。 璞璘科技的设备线宽突破10纳米，深宽比达7:1，可制造256层3D NAND闪存芯片。
佳能曾垄断纳米压印设备，但2024年对华禁售。 璞璘科技用动态喷墨技术破局：传统压印需整面涂胶，容易产生气泡；
而PL-SR采用微喷头精准喷射光刻胶，残余层厚度控制在10纳米内。 更关键的是，其柔性PDMS模板能贴合曲面晶圆，已用于Micro LED微显示器量产。
EUV光刻依赖13.5纳米极紫外光，需德国通快激光器激发锡滴等离子体，再用蔡司反射镜聚焦。
而电子束和纳米压印完全规避这两大难题：“羲之”的光源就是电子枪，纳米压印直接用物理模板压印。
ASML第二代EUV光刻机线宽为8纳米，“羲之”做到8纳米线宽加0.6纳米雕刻精度；佳能纳米压印设备最高支持14纳米制程，璞璘科技突破到10纳米。
纳米压印每小时处理50片晶圆，仅为EUV光刻机的四分之一；电子束光刻仍限于研发和小批量生产。
中科院研发的分子玻璃光刻胶使线边缘粗糙度降至1.2纳米，长江存储用国产压印设备量产128层闪存。
芯硕半导体的直写光刻机分辨率达0.65微米，虽不如前两者精密，但实现100%无掩膜制造，用于MEMS传感器量产。
英国南安普顿大学在2025年4月启用欧洲首台电子束光刻厂，美国应用材料公司加速研发多束流电子枪。
而在纳米压印领域，日本大印株式会社正开发7纳米压印模板。 中国两条路线并进，正在部分领域反超：璞璘科技的压印设备线宽比佳能当前型号低4纳米；“羲之”光刻机精度比英国南安普顿设备高0.2纳米。
2025年6月，其浸润式光刻机NXT:2050i降价15%，同时向中芯国际开放更多28nm工艺服务。 长江存储将纳米压印设备采购预算提高40%，华为量子实验室堆满“羲之”光刻机的测试数据报告。